台湾积体电路制造股份有限公司今29日表示，经审慎评估后，本公司拟投资兴建的三纳米先进制程新厂，将择定于南部科学工业园区台南园区，以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。台积公司并对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题表示肯定与感谢。

根据业界人士指出，台积电决定3 纳米留在台湾，事先已经透露出迹象。包括之前多家全球的半导体设备及材料厂商，包括材料大厂默克将宣布在南科高雄路竹基地设立 「亚洲区IC 材料应用研发中心」。全球半导体蚀刻设备拥有 50% 市占率、薄膜设备 40% 市占率的科林研发，则首次将组装线移往海外，落脚台湾。还有，先进半导体污染控制设备商英特格也在台湾举办相关产品的发表活动。这些状况，其实都是为了抢食台积电先进制程订单而来。

台积电3nm新厂估计于2022年开始量产，虽然未对外宣布相关投资额，但外界估计将达160亿美元。

目前台积电的12寸晶圆十四厂、八寸晶圆六厂，以及先进封测二厂都坐落台南，其他据点包括新竹、桃园、台中等地，并前往南京设厂。 台南现阶段是台积电20nm与16nm制程的生产重镇，未来5nm与3nm制程预期也会加入。

台积电指出，对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题，表示肯定与感谢。 外界预期，除了土地、水、电等基础建设问题，后续台积电3nm新厂进行环评，政府也会协助排除不必要的投资障碍。

台积电原规划最迟于明年上半年决定3nm新厂地址，虽然先前一度传出不排除前往美国设厂，但最后仍选择落脚台湾的南科台南园区，该公司主要是希望持续充分发挥在该园区既有的完整聚落与供应链优势。

对于台积电来说，该公司在后续的先进制程布局领先竞争对手，10nm制程已经量产，7nm制程试产后，预计明年可量产挹注营收，另外，7nm强化版配置极紫外光（EUV）解决方案，也规划于2019年下半年量产。 后续5nm制程规划于2020年量产，接下来3nm制程则将于2022年量产，整体五年内的技术进程蓝图已可见。

台积电董事长张忠谋之前曾表示，摩尔定律可能还可再延续10年，3nm制程应该会出来，2nm则有不确定性，2nm之后就很难了。

张忠谋表示，台积电明年将生产7nm制程，5nm已研发差不多，一定会出来，3nm也已经做2至3年，看来也是会出来。

张忠谋指出，先进制程设计很贵，设计后做成芯片，市场会很小的确是个疑虑，他认为，尽管不保证市场会很大，但还是会有市场。

张忠谋解释，他预测摩尔定律可能再有10年，是包含了3nm制程，2nm做的成还是做不成，还要几年才会知道，有不确定性，2nm之后很难了。

2.摩根大通：芯片制造热潮将导致应用材料价格上涨;

摩根大通刚刚发布了一份最新报告，报告称未来几年，由于主流技术的持续发展和芯片制造热潮，应用材料的价格将会持续上涨。

摩根大通重新对半导体设备制造商的股票投资给予“增持”的评级，并且预估应用材料公司明年的收益将会超过华尔街的预期。

“我们相信未来几年由于更广泛的产品组合与需求，半导体制造和记忆存储媒介等产品市场会快速增长。同时未来的两到三年里，显示屏制造领域也会呈现快速增长的态势。”分析师Harlan Sur在一份报告中指出。（编译/音希）

3.格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术;

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）带来显著的性能、集成和面积优势。 

格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器（LNA）和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电压处理能力，并实现同类最佳的开启电阻（Ron）和关闭电容（Coff），从而通过高隔离减少插入损耗，同时借助全铜互连提升功耗处理能力。

 “Skyworks继续借助我们全面的专业系统知识，为全球客户提供高度定制的解决方案。” Skyworks先进移动解决方案副总裁兼总经理Joel King 表示，“通过与格芯合作，Skyworks能够尽早使用同类最佳的开关和低噪声放大器技术，从而进一步为下一代移动设备和不断发展的物联网应用推动射频前端技术的发展。” 

 “我们现在生活在一个智能互联的时代，人们希望并且需要通过无缝、可靠的方式实现随时随地的数据连通。” 格芯射频业务部门高级副总裁Bami Bastani表示，“不过要实现这个目标的难度越来越大，因为前端设备必须能够处理越来越多的频段和射频信号类型，并具备集成数字处理和控制功能。作为射频行业的领军者，我们专门开发了新型8SW工艺，以满足客户最迫切的需求。”

基于300毫米RF-SOI的技术可以为设计人员提供一个成本优化的平台， 实现性能、集成和功耗的最佳组合方案，并拥有强大的数字集成能力。格芯的8SW技术采用了专门的衬底优化方案，能够最大限度增加无源器件的品质因数，减少有源电路的寄生电容，并最小化在千兆频段以下运行的器件相位差异和电压摆幅。该技术可以使优化后的低噪声放大器达到一流的噪声属性以及高特征频率与最高振荡频率，从而帮助目前采用4G频率以及未来采用6GHz以下频率的5G前端模块实现多样的接收和主天线路径低噪声放大器应用。

先进的8SW技术产品在位于纽约州东菲什基尔的300毫米晶圆厂生产线生产，其产能可以较低的成本满足业界预期的市场需求。工艺设计工具包现已发布。

4.格芯CEO：FD-SOI是中国需要的技术

5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。

9月26日，第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾（Sanjay Jha）亲临现场，发表主题为「以SOI技术制胜（Winning with SOI）」的演讲，阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展，介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状，并畅想了产业的未来。

关于FD-SOI技术，目前业界普遍的疑问在于是否有足够的市场、是否能够建立一个生态系统、技术本身的特点、以及5G时代的市场增长点在哪里。桑杰的演讲一一回答了这些问题，坚定了行业对FD-SOI技术的信心。

中国市场对于FD-SOI技术而言潜力巨大，格芯对此十分重视。目前正在与格芯进行22FDX®技术的35个客户中，有10家来自中国。2017年2月，格芯十二英寸晶圆厂在成都正式动工。9月，晶圆厂刚刚举行了上梁仪式。晶圆厂的建造速度与未来产量都令人惊叹，明年上半年即可完工。2017年5月，格芯与成都市正式签署了《FD-SOI产业生态圈行动计划》，格芯将与成都市合作，双方共同在成都建立多个专注于IP开发、集成电路设计的中心，并孵化成都本地的无晶圆厂企业，帮助他们雇佣超过500位工程师，以支持半导体和系统公司开发基于22FDX的面向移动、互联、5G、物联网和汽车市场的产品。

关于需要FD-SOI技术的行业，桑杰认为主要集中在：移动；物联网，包括NB-IoT、GPS、NFC；射频、毫米波应用，包括5G、LTE和WiFi；以及汽车电子，包括微控制器、雷达及ADAS系统等。就格芯22FDX平台而言，能够迎合5G时代的需求是其目标。格芯22FDX技术具备在22GHz层面上的集成功能，包括ADAS雷达等技术系统，都能够兼容汽车应用。这一切都预示着格芯FDX技术广泛的应用领域，不仅体现了市场对FD-SOI技术的需求，也能够推动FD-SOI技术自身的优化与升级。

格芯22FDX®提供了一个高性能、低功耗、低成本物联网、主流移动设备、无线通信互联以及网络的集成解决方案。桑杰强调了格芯22FDX®技术相比其他类似技术，掩膜更少、功耗更低、密度更高、性能也更高。同时，22FDX®的体偏压技术能够简化设计，缩短上市时间，同时可以实现短时峰值性能的应用需求。这为22FDX®技术提供强大优势，降低开发成本的同时，也为客户提供了性能优异的解决方案。

论坛上，桑杰介绍了格芯基于22FDX®平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术：FDX®和eMRAM的高能效连同差异化的射频和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。

一直以来，格芯不断推进FD-SOI技术的突破，目前正在进行大规模IP的物理验证。演讲中，桑杰公布了基于22FDX的ARM Cortex-A53和Mali-T820上的设计结果，面积的减少与功耗的降低证明了22FDX的性能。

为了推动FD-SOI技术从设计到量产的发展，格芯在2016年宣布推出了FDXcelerator™合作项目。FDXcelerator是专注于22FDX®技术的合作生态系统，该系统可以为客户减少产品进入市场的时间。在格芯和FDXcelerator合作方案的帮助下，客户可以从诸如40nm和28nm的节点快速迁移至FD-SOI技术，打造创新的22FDX方案。截至今年9月，格芯该项目的合作伙伴数量从去年的7个增长到33个，可见业界对格芯趋势判断的肯定与对FD-SOI技术的支持。

除了22FDX®，桑杰也提到了RF SOI技术，他认为前者是以集成为中心，RF SOI则更注重前端模块的设计。格芯在射频领域的市场份额位居第一，迄今为止，RF SOI芯片交付量达到了320亿片。在介绍格芯RF SOI最新微缩技术时，桑杰表示：“我们未来不仅仅是从工艺尺寸上的不断演进，而且进一步研发我们的技术，满足我们客户的需求，适应不同的应用。”

最后，桑杰隆重介绍了12FDX®技术。12FDX技术建立于12纳米FD-SOI平台，性能堪比10纳米FinFET的同时又能比14/16纳米FinFET有更好的功耗表现与更低的成本。格芯的12 FDX半导体技术将使得未来的系统能够跨越包括移动计算、5G网络、人工智能，以及无人驾驶等各个领域的应用。

“我们具备了所有的应用、技术，我们的行业获得了强大的动力。我们正享受着巨大的市场，”桑杰在结语中欣慰地表示，“我们将会有经过硅验证的IP，在中国建立了我们的工厂，并且为我们的FD-SOI产业打造生态系统。这一切都表明：FD-SOI正是中国需要的技术！” 作为SOI 联盟的成员以及本届上海FD-SOI论坛的赞助商，格芯很高兴看到行业的发展，格芯也将成为中国FD-SOI技术的中坚力量，发挥其创造力与领导力完善基础设施，推动产业升级。

5.格芯公布针对下一代5G应用的愿景和路线图

格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图，这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用领域提供业内范围最广的技术解决方案，所针对的应用包括集成毫米波前端模块（FEM）、收发器、基带芯片、以及用于移动和网络的高性能应用处理器。

随着全球对数字信息的依赖程度越来越高，互联技术有望推动市场迅猛发展，预计到2020年，互联设备数量会达到84亿。5G技术将成为推动网络发展，实现人与联网机器零距离连通的关键因素。5G技术无处不在的连通，令人难以置信的吞吐量和极快的运行速度让各种应用系统充分利用云的处理能力。

“格芯公司期望从4G到5G的过渡，其变革程度不亚于从语音过渡到数据。” 格芯公司CEO 桑杰·贾（Sanjay Jha） 表示，“5G将改变所有行业，而我们的客户早已蓄势待发。因此，我们以丰富的技术组合方案不断推动前沿技术的发展，从而满足客户的应用需求，为5G等变革技术实现智能互联。”

 “5G技术的愿景是实现极其可靠的通信，达到高数据吞吐能力，高用户密度，以及不到5毫秒的网络延迟，” Linley集团的首席分析师Linley Gwennap表示，“格芯公司拥有广泛的产品组合和丰富的经验，能够很好地满足这些网络的需求，帮助其完成从设备一直到数据中心之间所有环节的过渡，从而支持5G应用。”

格芯在市场上推出了众多具有差异化的解决方案，以满足5G应用的性能标准。公司的技术路线图中包括RF-SOI、硅锗（SiGe）、RF CMOS以及先进CMOS节点技术，同时还结合了多种专用集成电路（ASIC）设计服务和IP。

格芯的5G解决方案是其开发和提供下一代技术的总体愿景的一部分，下一代技术旨在为下一代设备、网络和有线/无线系统实现互联智能。这些用于特定应用程序的解决方案通过支持多种多样的功能来为客户提供满意的5G解决方案，其中包括超低功耗传感器、具有长电池寿命的超快设备、以及支持片上存储器的更高层集成功能等。

•5G毫米波前端模块：格芯的RF-SOI和SiGe解决方案（130纳米-45纳米）为前端模块和集成功率放大器（PA）应用提供了最佳的性能、集成和功耗组合方案。格芯的毫米波解决方案设计运行在毫米波和亚6GHz频段之间而，额外毫米波段也包括在公司的路线图中。客户现在可以开始优化芯片设计方案，从而开发出高性能5G和毫米波相控阵列应用的射频前端差异化解决方案。

•5G毫米波收发器和基带处理：格芯的FDX技术（22纳米和12纳米）通过将射频、模数转换器（ADC）、数字基带和存储器集成在同一芯片上，为5G收发器提供功耗最低和面积最小的解决方案。此外还有通过独特的背栅偏压功能实现新型架构和可重构操作的功能。这些优化的解决方案为客户提供了一种灵活、成本优化的方法，将毫米波收发器和基带处理集成在5G基站、卫星、雷达和其它高性能应用中。格芯及其全球合作伙伴将在2018年推出用于毫米波的FDX产品。

•先进应用处理：格芯基于CMOS FinFET工艺的先进处理技术兼有众多优点，为下一代智能手机处理器、低延迟网络以及大型多输入输出（MIMO）网络提供了最佳的性能、集成、和功耗组合方案。目前，格芯已提供该解决方案。

•针对5G无线基站的定制设计：公司的专用集成电路（ASIC）设计系统（FX-14和FX-7）通过支持高速SerDes上的无线基础架构协议，从而实现优化的5G解决方案（功能模块），这些解决方案能够将先进的封装、单片、模数/数模转换器（ADC/DAC）与可编程逻辑集成在一起。5G解决方案包括支持CPRI、JESD204C标准的32G背板和32G短距SerDes。此外还提供毫米波功能的模数/数模转换器以及数字前端（DFE）的先进封装解决方案，比如2.5D与MCM。FX-14现在已经向用户提供，FX-7预计在2019年量产。 

格芯及其全球合作伙伴可为客户提供这些5G解决方案。格芯目前正与客户一起部署未来几年的原型系统开发工作。

格芯在RF-SOI以及SiGe工艺方面拥有非常丰富的经验，凭借其丰富的生产经验，以及对下一代射频通信架构的专业认知，至今，格芯已经向客户交付了超过320亿片RF-SOI芯片和超过50亿片硅锗芯片。

为了满足全球范围内对5G解决方案日益增长的需求，格芯正在对位于东菲什基尔的300毫米晶圆厂进行产能升级， 并增加位于新加坡的200毫米晶圆厂的产能，以生产业内领先的RF-SOI产品。

Ankoiwave 公司首席执行官Robert Donahue表示，“5G毫米波市场所面临的主要挑战的关键就是了解生产具有商业可行性的相控阵列天线的方法。我们相信：借助格芯在RF-SOI以及SiGe技术领域的领导地位，Anokiwave能够开发独具特色的毫米波解决方案，从而迎接毫米波5G网络的工业化时代。”

Peregrine半导体公司首席技术官Jim Cable表示，“在过去将近三十年的时间内，Peregrine半导体公司的UltraCMOS®技术平台一直处于RF-SOI技术领域的最前沿。2013年之后，与格芯的合作进一步推动了Peregrine公司RF-SOI技术发展。在5G时代即将来临的背景下，Peregrine公司很高兴看到格芯推出5G路线图，并为Peregrine高度集成的5G解决方案提供支持。”

Qualcomm Technologies, Inc.执行副总裁兼QCT总裁克里斯蒂安诺·阿蒙表示，“多年来，格芯与Qualcomm Technologies建立了跨越多种工艺节点的紧密的代工关系。对5G将为业界带来的一切我们倍感兴奋，并期待它的长足发展。”

Skyworks解决方案公司首席技术官Peter Gammel表示，“随着我们客户对移动体验的需求越来越强烈，他们比以往更加需要强大的制造合作方。我们很高兴能有格芯这样的合作伙伴来为我们提供技术，从而使我们可以推出从移动互联、无线基础架构到物联网等面向5G市场的功能强大、面向未来的射频解决方案。”