MOS管概述

MOS管定义

MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。

其结构示意图：

结构示意图解析：

1）沟道

上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。

2）n型

上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。

3）增强型

相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

4）左右对称

图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。

5）金属氧化物膜

图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。例如导通电阻在欧姆级的，1角人民币左右买一个，而2402等在十毫欧级的，要2元多（批量买。零售是4元左右）。

6）与实物的区别

上图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。

7）寄生电容

上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一，必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种用途中，栅极信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视，甚至成为主要问题。为了追求高速，需要强大的栅极驱动，也是这个道理。试想，弱驱动信号瞬间变为高电平，但是为了“灌满”寄生电容需要时间，就会产生上升沿变缓，对开关频率形成重大威胁直至不能工作。

8）如何工作在放大区

Mos管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用mos管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。

9）发热原因

Mos管发热，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，显现交流特性而具有阻抗，形成电流。有电流就有发热，并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时，导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点，这时，导通电阻很大，发热比较厉害。第三个原因是导通后，沟道有电阻，过主电流，形成发热。主要考虑的发热是第1和第3点。许多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。超过此温度，mos管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。

选型四要领：

1）用N沟道orP沟道？

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

2）确定MOS管的额定电流

该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。

3）选择MOS管的下一步是系统的散热要求

须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。

4）选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

了解了MOS管的选取法则，那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了，从而让整个电路工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。

失效六因果：

1）雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

2）SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

3）体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

4）谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

5）静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。

6）栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

具体分析：

1）雪崩失效分析(电压失效)

到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。

下面的图片为雪崩测试的等效原理图，做为电源工程师可以简单了解下。

可能我们经常要求器件生产厂家对我们电源板上的MOSFET进行失效分析，大多数厂家都仅仅给一个EAS.EOS之类的结论，那么到底我们怎么区分是否是雪崩失效呢，下面是一张经过雪崩测试失效的器件图，我们可以进行对比从而确定是否是雪崩失效。

雪崩失效的预防措施

雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。

1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。

2：合理的变压器反射电压。

3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。

4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。

5：选择合理的栅极电阻Rg。

6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。

2）SOA失效(电流失效)

再简单说下第二点，SOA失效

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。

关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。

1：受限于最大额定电流及脉冲电流

2：受限于最大节温下的RDSON。

3：受限于器件最大的耗散功率。

4：受限于最大单个脉冲电流。

5：击穿电压BVDSS限制区

我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。

这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。

SOA失效的预防措施

1：确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。

2：将OCP功能一定要做精确细致。

在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。

有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。

但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td(off)。

它到底有什么影响呢，我们看下面FLYBACK电流波形图(图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看)。

从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。

3：合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。

3）体二极管失效

在不同的拓扑、电路中，MOSFET有不同的角色，比如在LLC中，体内二极管的速度也是MOSFET可靠性的重要因素。漏源间的体二极管失效和漏源电压失效很难区分，因为二极管本身属于寄生参数。虽然失效后难以区分躯体缘由，但是预防电压及二极管失效的解决办法存在较大差异，主要结合自己电路来分析。

体二极管失效预防措施

其实有那个体二极管，在大部分时候都不碍事，而且有时候还有好处，比如用在H桥上，省得并二极管了。当然也有碍事的时候，那就用两个MOS管头顶头或者尾对尾串联起来就可以了。

那个二极管是工艺决定的，也不必太在意，接受它的存在就好了。还有，多说两句，其实MOS管的D和S本质上是对称的结构，只是沟道的两个接点。但是由于沟道的开启和关闭涉及到栅极和衬底之间的电场，那么就需要给衬底一个确定的电位。又因为MOS管只有3个管脚，所以需要把衬底接到另外两个管脚之一。那么接了衬底的管脚就是S了，没接衬底的管脚就是D，我们应用时，S的电位往往是稳定的。在集成电路中，比如CMOS中或者还有模拟开关中，由于芯片本身有电源管脚，所以那些MOS管的衬底并不和管脚接在一起，而是直接接到电源的VCC或者VEE，这时候D和S就没有任何区别了。

4）谐振失效

在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。

谐振失效预防措施

电阻可以抑制振荡, 是因为阻尼的作用。但栅极串接一个小电阻, 并非解决振荡阻尼问题. 主要还是驱动电路阻抗匹配的原因, 和调节功率管开关时间的原因。

5）静电失效

静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响：

1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。

2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。

3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。

静电失效的预防措施

MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA 在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。

6）栅极电压失效

栅极的异常高压来源主要有以下3种原因：

1：在生产、运输、装配过程中的静电。

2：由器件及电路寄生参数在电源系统工作时产生的高压谐振。

3：在高压冲击时，高电压通过Ggd传输到栅极（在雷击测试时，这种原因导致的失效较为常见）。

至于PCB污染等级、电气间隙及其它高压击穿IC后进入栅极等现象就不做过多解释。

栅极电压失效的预防措施

栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变(di/dt)会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位，RC箝位或RC抑制电路等保护措施。

补充下,MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因.  使用方面:  

1)静电损坏,初期可能还象好管子一样开关,经过一段时间后会失效炸机,GDS全短路.  

2)空间等离子损伤,轻者和静电损坏一样,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调! 

 3)漏电损伤,多数情况下GDS全短路,个别会DS或GD断路.  

4)过驱动,驱动电压超过18V后,经过一段时间使用会GDS全短.  

5)使用负压关闭,栅加负压后,MOSFET抗噪能力加强,但DS耐压能力下降,不适当的负压,会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路.  

6)栅寄生感应负压损坏,和不适当的负压驱动一样,只是该负压不是人为加上的,是由于线路寄生LC感应,在删上感应生成负脉冲. 

说了那么多，重点来了，严重缺货的MOS管原厂即将登场啦！

1、富鼎先进电子股份有限公司

总部：台湾

官网：http://www.a-power.com.tw/

简介：富鼎先进电子股份有限公司成立于1998年，为台湾第一家成功整合6吋DMOS制程的IC设计公司。

总部：台湾

官网：http://www.anpec.com.tw/

简介：茂达电子(Anpec Electronics Corp.)于1997年10月正式成立，以提升国内电源模拟设计环境并建立自主模拟及电源相关产业为使命。

总部：台湾

官网：http://www.unisonic.com.tw/

简介：友顺科技股份有限公司成立于1990年，专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。

总部：台湾

官网：http://www.moresemi.com/

简介：MORE Semiconductor Company Limited (摩矽半导体有限公司)，是一家专业从事各种功率器件与集成电路设计、生产、销售为一体的企业，主要产品包括功率场效应管Power MOS FETs、肖特基Schottky、电源管理Power Management IC、类比Analog IC、高压LCD驱动IC、ROM 、逻辑Logic IC等。

总部：台湾

官网：http://www.panjit.com.tw/

简介：强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的生产。

总部：台湾

官网：http://www.cetsemi.com/

简介：华瑞（CET）是台湾第一家自行研发、生产、销售Power MOSFETs自有品牌的公司。从元件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，行销全球。

总部：台湾

官网：http://www.niko-sem.com/

简介：1998年 NIKO-SEM微电子总部成立于台北，为专业之电源管理功率组件及模拟IC设计公司，主要产品包括POWER MOSFET功率组件、线性稳压IC(LDO)、切换型稳压IC及脉冲控制IC。

总部：台湾

官网：http://www.reasunos.com/

简介：晟日半導體科技有限公司是一家源自臺灣的功率半導體器件設計與銷售企業，現有產品線包括：高壓MOSFET，超結MOSFET，中低壓MOSFET，碳化硅肖特基，IGBT，係列二、三極管，橋堆及可控硅。

股票代码:600460

总部：杭州

官网：http://www.silan.com.cn/

简介：杭州士兰微电子股份有限公司是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司现在的主要产品是集成电路和半导体产品。

总部：无锡

官网：http://www.crhj.com.cn/

简介：无锡华润华晶微电子有限公司，是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业，中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，生产国内著名的“华晶”牌分立器件。

股票代码：002504

总部：江苏

官网：http://www.jsdgme.com/

简介：目前公司拥有四家子公司包括：浙江长兴电子厂有限公司、无锡迅驰电子科技有限公司、江苏东光电子有限公司、无锡矽能电子科技有限公司。

股票代码："002079"

总部：苏州

官网：http://www.goodark.com/

简介：苏州固锝于1990年11月成立，是中国电子行业半导体十大知名企业、江苏省高新技术企业、中国半导体分立器件协会副理事长企业。

总部：江苏

官网：http://www.cj-elec.com/

简介：江苏长电科技股份有限公司是中国著名的半导体封装测试企业，集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长单位。

总部：四川

官网：http://www.lrc.cn/

简介：乐山无线电股份有限公司（简称LRC）位于中国西部大开发中心地带的历史文化名城——四 川乐山，创建于1970年，是以半导体分立器件为主产品的综合性电子企业。

总部：上海

官网：http://www.prisemi.com/

简介：上海芯导电子科技有限公司（Prisemi)是一家专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件开发及销售的芯片公司。

总部：香港

官网：http://www.gofordsemi.com/

简介：谷峰电子有限公司， 于1995年在香港成立，并于2000年在深圳成立深圳公司,并在江苏设立分公司。多年来一直从事于半导体元器件的研发、生产和销售。

总部：深圳

官网：http://www.bydauto.com.cn/

简介：比亚迪股份有限公司，1995年02月10日成立，经营范围包括锂离子电池以及其他电池、充电器、电子产品、仪器仪表、柔性线路板、五金制品、液晶显示器、手机零配件、模具、塑胶制品及其相关附件的生产、销售等。

总部：深圳

官网：http://www.kiaic.com/

简介：深圳市可易亚半导体科技有限公司(KIA Semiconductors)成立于2005年，公司总部位于广东深圳，是一家专业半导体元器件研究设计制造与营销为一体的高新技术企业。

总部：深圳

官网：http://www.szyangjing.com/

简介：深圳市扬晶微电子有限公司, 是一家专业制造半导体分立器件及IC的高科技企业。是中国主要专业从事半导体分立器件及IC研发、生产、销售及技术支持制造商。

总部：深圳

官网：http://www.ruichips.com/

简介：深圳市锐骏半导体股份有限公司是一家半导体产品、电子产品的设计、技术开发与销售科技公司，由行业领军人物、高层次人才黄泽军先生创立，总部位于深圳市南山区高新科技园。

总部：深圳

官网：http://www.szhaochang.cn/

简介：深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，三端稳压IC，整流桥等系列产品。

总部：深圳

官网：http://www.sisemi.com.cn/

简介：深圳深爱半导体股份有限公司是由深圳市赛格集团有限公司、深圳市循杰投资股份有限公司、深圳市远致投资有限公司投资的专业功率半导体芯片及器件的生产企业，是一家集自主设计研制、生产及销售的高科技企业，也是国内功率器件行业的主要企业。

总部：深圳

官网：http://www.jj365ic.com/

简介：深圳市嘉峻电子有限公司：是生产及销售集成电路与三极管为一体的公司，三极管系列：单双向可控硅、三端稳压管、MOS管、达林顿管等产品。集成电路IC开发设计产品主要是消费类IC、CMOS工艺、双极工艺、数模混合、模拟电路等。

总部：佛山市

官网：http://www.fsbrec.com/

简介：佛山市蓝箭电子股份有限公司创建于1969年，是国家级高新技术企业，国内著名的半导体器件专业研发制造商。

总部：佛山市

官网：http://www.hexinsemi.com/

简介：佛山市合芯半导体有限公司是专业生产MOSFET、可控硅、三端稳压管、高反压开关三极管、信号放大三极管、集成电路等封装销售公司。

总部：佛山市

官网：http://www.fsslt.com/

简介：佛山市实力通电子有限公司是一家专业生产销售半导体三极管、 MOS管、可控硅（晶闸管）、 三端稳压等半导体器件的股份制企业 ,拥有“SLT”自主品牌,产品以中、大功率的晶体三极管为主。

总部：惠州

官网：http://www.fnk-tech.com/

简介：惠州市乾野微纳电子有限公司（简称FNK-TECH） 成立于2003 年。专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

总部：东莞

官网：http://www.dglxdz.com/

简介：凌讯电子是一家专业生产半导体功率器件的高科技民营企业。公司具备完整的产品研发能力和制造能力；主要产品有肖特基二极管、快恢复二极管、场效应及承接TO系列功率器件的OEM封测服务。

总部：西安

官网：http://www.semipower.com.cn/

简介：西安芯派电子科技有限公司(简称芯派科技)是一家专业从事中大功率场效应管(MOSFET，自高压至低压全系列产品)、特殊用途整流器(含快速恢复二极管及肖特基二极管)、桥堆以及电源管理IC开发设计，集研发、生产和销售为一体的高新技术企业。

总部：吉林

官网：http://www.hwdz.com.cn/

简介：吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业，中国半导体功率器件五强企业。

总部：上海

官网：http://www.sino-ic.net/

简介：上海光宇睿芯微电子有限公司坐落于上海浦东张江高科技园区，是专业从事半导体过电压保护器件、集成电路的设计与销售的高新技术企业，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设计核心技术的供应商之一。

简介：无锡新洁能功率半导体有限公司 是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。目前专注于MOS半导体功率器件(沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT)以及射频(微波)RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。

总部：美国加州

官网：http://www.stansontech.com/

简介：司坦森科技有限公司 ( STANSON TECHNOLOGY ) 于1981年在美国加州成立 ，业务初期主要以半导体机器设备及相关零组件销售为主，逐渐转型为半导体原物料供应及半导体零组件设计的优秀公司。

总部：美国

官网：https://www.diodes.com/

简介：Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。

总部：美国

官网：https://www.fairchildsemi.com.cn/

简介：Fairchild 一直是半导体行业的先驱者，秉承开拓精神至今。 在多样化导致精力分散、妨碍创新的时代，我们专注于开发制造从低功率到高功率解决方案的完整产品组合。（已被安森美收购）

36、安森美半导体

股票代码：ON

总部：美国亚利桑那州菲尼克斯

官网：www.onsemi.cn

简介：安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效连接、传感、电源管理、模拟、逻辑、时序、分立及定制器件阵容。

总部：美国宾夕法尼亚洲

官网：http://www.vishay.com/

简介：Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。

纳斯达克：AOSL

总部：美国加利福尼亚州Sunnyvale

官网：http://www.aos.hk/

简介：美國萬國半導體有限公司(AOS),於2000年在美國加州成立總部，其卓越且完整的功率型金屬氧化層場效電晶體(Power MOSFET)，提供所有資訊科技產業製造者生產更加品質、更具優勢成本與效率之產品。 

总部：美国德克萨斯州的达拉斯

官网：http://www.ti.com.cn/

简介：美国德州仪器公司(英语:Texas Instruments，简称:TI)，是世界上最大的模拟电路技术部件制造商，全球领先的半导体跨国公司，以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世，主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。

股票代码：(NASDAQ:POWI)

总部：美国加州圣何塞

官网：https://www.power.com/

简介：PI(Power Integrations)公司是用于高能效电源转换的高压模拟集成电路业界的领先供应商。

总部：美国

简介：国际整流器公司 (简称IR) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。（已经并入Infineon）

总部：日本

官网：http://www.rohmtj.com/

简介：罗姆半导体（中国）有限公司，是坐落在日本京都的世界著名半导体研发、生产性企业“罗姆株式会社”投资的全资子公司，2005年3月15日经中国商务部批准正式成立。

总部：日本东京

官网：http://www.toshiba.com.cn/

简介：东芝(Toshiba)，是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。

总部：日本

官网：https://www.renesas.com/

简介：瑞萨电子公司（Renesas Electronics Corporation）是由瑞萨科技与NEC电子合并而成，2010年成立，由日本电气、日立、三菱电机等持股。

总部：日本

官网：http://www.shindengenelectric.com.cn/   

简介：新电元（上海）电器有限公司为日本新电元公司100%出资的设立在上海的公司。新电元工业株式会社于1949年成立以来，以从事功率半导体和开关电源等以电力电子技术为主要领域。

总部：韩国

官网：http://www.magnachip.com/

简介：1979年成立的LG半导体是 MagnaChip的母体，2004年从海力士的非半导体存储器事业部门独立出来，以 MagnaChip半导体的身份全新起航，是一家 综合型半导体企业。

总部：韩国

官网：http://www.kec.co.kr/

简介：KEC是韩资企业，主要是生产三极管，二极管等半导体。自从1969年创业以来，在半导体领域独辟蹊径的匠人企业KEC，通过几十年不断的技术开发与经营革新,不但在品质上赢得了国内外知名电子企业的普遍信赖，其优秀的技术能力也受到广泛的认可。

总部：韩国

官网：http://www.auk.co.kr/

简介：韩国光电子AUK1984年，主要生产中小功率三极管，长期以来一直给MOTOROLA和SAMSUNG做加工，自身品牌“AUK”约占其中30%市场销售。

总部：韩国

官网：http://www.truesemi.com/

简介：信安半导体成立于2008年，属安联集团全资子公司，致力于大中华地区MOSFET产品销售，2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域，同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。

股票代码：（法兰克福）IFX、 （OTCQX International Premier）IFNNY

总部：德国慕尼黑

官网：https://www.infineon.com/

简介：1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。

总部：荷兰奈梅亨

官网：http://www.nexperia.cn/

简介：Nexperia是专门提供分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的全球领导者。我们最初属于飞利浦集团，后成为恩智浦的业务部门，而在2017年初，我们成为了一家独立公司。

总部：瑞士日内瓦

官网：http://www.st.com/

简介：意法半导体（STMicroelectronics, ST）是世界第五大半导体公司，1987年，两家历史悠久的半导体公司意大利SGS Microelettronica和法国汤姆逊半导体公司合并后，成立了今天的意法半导体公司。

总部：加利福尼亚州

官网：http://www.ixys.com/

简介：IXYS 公司是世界著名的半导体厂家,成立于1983年, 其产品括MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块,Hybrid和晶体管等。