韩内存厂大缺工! 三星:工作量满档、无力应付订单;三星、SK海力士、美光第二季服务器DRAM营收季增30.1%

411 2017-08-15

1.韩内存厂大缺工! 三星:工作量满档、无力应付订单;

 

三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)碍于南韩新颁布的学生不得加班法令,满手订单却陷入缺工困境,正急着大举招募新人帮手。

 

南韩中央日报(Korea JoongAng Daily)14日报导(见此),南韩去(2016)年8月禁止学生加班或在假日打工,过去习惯聘用学生补足制造厂房空缺的三星,在半导体厂需24小时不断运作的情况下,开始面临缺工问题。

 

三星一名主管说,工作量如今积到天花板,已经无力应付订单,再加上公司还在扩充产品线,有专长的员工现在真的很缺。 三星最近才在网站上张贴出征才公告,希望找到有经验的人才加入内存事业,另外还在今年上半聘请了300名高职学校的毕业生。

 

SK海力士也在8月初开始为固态硬盘(SSD)部门寻找有经验的专业人士,DRAM测试软件开发员、内存架构设计员也在人才招募之列。

 

三星副董事长权五铉(Kwon Oh-Hyun)最近已经专程跟新任总统文在寅(Moon Jae-in)会面,诉说公司在寻找优质人才时遭遇的严重问题。 三星半导体事业管理董事Lee Seung-baek说,半导体的难度相当高,专长这个领域的大学生并不多,南韩的技术领先业界,因此想在海外找到合适的人才,也不太容易。

 

三星今年打算耗资20兆韩圜扩充半导体生产线,尤其是3D NAND厂房,而SK海力士则打算砸下9.6兆韩圜、扩充计算机芯片产能。

 

内存需求发烧,三星电子营收暴增,踢下英特尔(Intel),晋身全球芯片龙头。 华尔街日报、美联社7月底报导,过去1/4世纪以来,英特尔一直是全球芯片霸主,不过随着计算机市场转疲,英特尔光芒不再。 今年第二季,三星芯片部门营收为157亿美元、营益为71亿美元。 相较之下,英特尔营收为148亿美元、营益为38亿美元。

 

不过,内存正热门,各家厂商虎视眈眈,竞相加入,未来恐怕会生产过剩,削弱价格。 Objective Analysis内存芯片分析师Jim Handy预测,明年年中内存可能会供过于求,他说,要是未来三星营收长期低于英特尔,他不会感到惊讶。

 

IC Insights 7月18日新闻稿称,内存以往市况显示,过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。 未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能,未来可能还有中国新业者加入战场,3D NAND flash产能过多的可能性「非常高」(very high)。 精实新闻

 

 

2.三星、SK海力士、美光第二季Server DRAM营收季增30.1%;

 

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,回顾第二季度,整体Server DRAM供给吃紧,即使原厂透过产品线调整仍无法有效缓解市场需求的力道,在平均零售价(Average Selling Price)垫高的带动下,三星、SK海力士、美光三大DRAM原厂第二季整体营收较第一季成长约30.1%。

 

DRAMeXchange分析师刘家豪指出,由于Server DRAM平均搭载容量的提升,整体高容量服务器模组如32GB RDIMM与64GB LRDIMM的使用需求在上半年陆续浮现,使得Server DRAM的获利水平均大幅拉升;2017下半年随着英特尔Purley平台产品线的导入,DDR4 2666Mhz的模组将会更有效的渗透市场,预期今年整体Server DRAM市场在供需上会持续维持吃紧态势。 

 

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三星(Samsung)

 

三星受惠于整体DRAM高市占率与制程领先,在Server DRAM上表现格外亮眼,整体在产品规划与布局上也很成功,第二季度整体Server DRAM营收占整体市场比重为44.8%,来到19.85亿美元,季增36.5%。

 

展望下半年,因今年DRAM产能扩增受限,且来自于数据中心的代工需求持续增温,三星在下半年仍然会持续针对各家OEM/ODM调整供货达标率,进而维持高获利水位,与满足主要客户的需求。

 

SK海力士(SK Hynix)

 

SK海力士在第二季度Server DRAM营收上表现亮眼,季增28.2%来到13.77亿美元;若以产品配置来看,SK海力士DRAM有部分产能从Low-Power DRAM转移至Server DRAM,进而满足整体市场的需求,也是带动第二季度营收上扬的最主要原因。

 

从产能规划来看,Server DRAM将占SK海力士DRAM产品比重约32%,部分产能将会随着市产需求而略为调整,以维系获利水平。下半年SK海力士将提供以21nm为主流的解决方案,除比重提高外,针对32GB模组的产出也是其下半年的主力。

 

美光(Micron)

 

受惠于整体DRAM缺货,加上产品配置的调整,带动美光营收成长,美光第二季度Server DRAM位元出货量较前一季度成长外,平均销售单价也跃升,而且20nm良率明显增加,其Server DRAM产品营收成长22%,达到10.68亿美元。

 

从产品面向来看,美光陆续提高其Server DRAM的比重以达到整体产品组合的最佳获利水平,第一季度整体Server DRAM产出比重来到近三成,预计年底Server DRAM占比将会陆续提高进而满足下半年延烧的需求。

 

 

3.东芝芯片业务出售谈判陷入僵局 已做好退市准备;

 

 

北京时间8月14日晚间消息,据彭博社报道,东芝在与贝恩资本领导的财团(以下简称“贝恩财团”)洽谈芯片业务出售事宜时,因为商业和治理问题导致双方在付费时机上陷入僵局,给该公司能否快速完成这一交易蒙上了阴影。

 

  知情人士表示,贝恩财团希望在东芝解决与合作伙伴西部数据的法律纠纷后再支付现金,而东芝希望提前支付。东芝总裁纲川智(Satoshi Tsunakawa)上周表示,由于尚未与获得优先竞购权的贝恩财团达成最终协议,该公司将与其他可能的收购方展开谈判,但他并未披露具体原因。

 

  在减记数十亿美元美国核业务资产后,东芝需要在明年3月之前完成芯片业务的出售,否则就会在东京证券交易所退市。

 

  知情人士表示,虽然曾经尝试多种战略来按时出售芯片业务,但这家日本标志性企业还是做好了退市准备。一方面,该公司对西部数据施压,希望迫使其撤诉,否则就威胁切断这家美国公司未来所需的芯片产能。另一方面,东芝也考虑富士康等其他竞购方,后者之前曾经表达过对这项业务的收购兴趣。

 

  纲川智最初计划在6月之前达成最终协议,他在上周的新闻发布会上表示,该公司希望避免退市。

 

  “保持上市公司身份的根本动机在于,我们不希望给股东和投资者带来不便。”他说,“具体到退市问题,我们还要考虑此事对整体市场的负面影响。”

 

  他还补充道,只要能够找到共同点,东芝仍然对与西部数据的合作持开放态度。在接受完反垄断和其他政府审查后,东芝需要在8月末或9月初达成最终条款,才能在明年8月之前完成出售。

 

  贝恩财团包括政府支持的日本Innovation Network Corp、日本开发银行和SKy海力士。知情人士表示,该财团出价2.1万亿日元(190亿美元)收购东芝芯片业务。

 

 

  SK海力士在其中扮演的角色同样是影响该交易的一大症结:知情人士表示,这家韩国公司为这笔竞购提供贷款,但他们也希望未来获得股权。这会给东芝构成麻烦,因为这样的条款需要接受反垄断审查,并有可能遭到日本政府的反对。

 

  东芝与西部数据之间的矛盾最近几周越来越激化。这家美国公司声称,作为芯片业务的合作伙伴,该公司在任何出售交易中都享有权益,但东芝否认这一观点。西部数据在加州提交仲裁,这一流程可能拖延芯片业务的出售,并迫使东芝退市。

 

  东芝也起诉西部数据,向其索赔10亿多美元。

 

  东芝的芯片业务为iPhone和数据中心等多种设备生产存储芯片,他们希望通过出售这项业务来支持其美国核业务面临的灾难性打击。由于这个项目推迟,加之已经申请破产的西屋电气产生的巨额费用,导致该公司减记数十亿美元资产。

 

  东芝上周四公布的报告显示,该公司在截至3月31日的财年内净亏损9657亿日元,当前财年预计实现净利润2300亿日元。该公司的审计方普华永道已经认可这一数字,对于2015年9月就被东京证券交易所列入退市观察名单的东芝而言,此事堪称一大里程碑。(思远)

 

4.Xilinx可重配置存储加速解决方案亮相2017年闪存峰会

 

All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司( Xilinx )宣布,在2017 年闪存峰会上展示了可重配置存储加速解决方案。通过一系列的演示和介绍,赛灵思及其生态系统重点展示了用于当前和下一代企业和数据中心应用的高性能存储解决方案。在今年的闪存峰会上首次公开亮相的赛灵思NVMe-over-Fabrics参考设计为设计人员提供了灵活的平台,不仅可以帮助设计者实现可扩展的存储解决方案,而且还能帮助他们将定制加速功能集成到其存储阵列中。该参考设计无需专用 x86 处理器或外接网卡,因此能开发出高度集成、稳健可靠的低成本解决方案。

 

赛灵思在展会上的演示与参与的小组讨论包括

•面向下一代NVMe平台的可重配置存储加速

演讲者:Rakesh Cheerla,赛灵思产品经理

•用 FPGA 加速基于NVMe-over-Fabric 的存储网络 

演讲者:Deboleena Minz Sakalley,赛灵思高级设计工程师

•用 FPGA 和一体化闪存存储技术加速数据分析

演讲者:HK Verma,赛灵思首席工程师

 

赛灵思在展会上的精彩演示:

•NVMe-over-Fabric平台

赛灵思单芯片存储解决方案将NVMe-over-Fabric、目标 RDMA 卸载和处理子系统完美集成在一起,相对于需要外部主控芯片和网络接口卡(NIC)的现有产品而言,更加省电且能提供更低时延。该 2x100Gb 以太网平台能帮助客户实现增值存储工作负载加速如压缩和擦写代码等。

 

•面向数据驱动型应用的计算存储子系统

ScaleFlux计算存储子系统(CSS)独特地解决了计算和存储 I/O 瓶颈问题。CSS压缩技术能加速吞吐量实现数量级提升,而且不必运行软件解决方案需要的成本不菲的 CPU 开销,从而可以实现性能不减,存储容量利用率最高。

•支持多源闪存产品的的可编程控制器

Burlywood 的TrueFlash模块化控制器架构,不仅能加快新型 NAND 的市场采用进程,同时为云端、全闪存阵列和超融合 OEM 客户带来突破性的成本和性能优势。采用赛灵思UltraScale+™ FPGA的TrueFlash,充分利用赛灵思器件的功耗、性能和成本方面的优势,能帮助客户快速优化解决方案,满足工作负载要求,还能运用同一控制器验证多种 NAND 产品。

 

包括Everspin Technologies、IntelliProp、IP-Maker、Kazan Networks、MobiVeil、PLDA和Smart IOPs 等公司在内的赛灵思生态系统公司,都在其 FMS 展台演示了各自基于赛灵思技术的产品。

 

 

 

 

 

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