国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体宣称，国外政府将对中国购买EUV实施限制，更是吸引了大量公众的目光。一时之间，仿佛EUV成为了衡量中国半导体设备产业发展水平的标杆，没有EUV就无法实现半导体强国之梦。以目前中国半导体制造业的发展水平，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？

所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长降到13.5nm，这不仅使光刻技术得以扩展到32nm工艺以下，更主要的是，它使纳米级时代的半导体制造流程更加简化，生产周期得以缩短。

赛迪智库半导体研究所副所长林雨就此向《中国电子报》记者解释：“光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。然而193nm浸没光刻技术很难支撑40nm以下的工艺生产，因此到了22/20nm及以下工艺节点。

因此，EUV技术实质上是通过提升技术成本来平衡工序成本和周期成本。例如，按照格罗方德的测算，启用EUV技术，在7nm和5nm节点，都仅需要1个光罩即可生产。这样理论上来说，就可以起到简化工艺流程，减少生产周期的作用。

针对EUV，在国内流传着一种声音：受西方《瓦森纳协议》的限制，中国只能买到ASML的中低端产品，出价再高，也无法购得ASML的高端设备。日前，ASML中国区总裁金泳璇在接受《中国电子报》记者采访时否认了这一说法。据金泳璇透漏：“国内某知名半导体晶圆厂现已与ASML展开7nm工艺制程EUV订单的商谈工作，第一台EUV设备落户于中国指日可待。”

也就是说，EUV要进口到中国并没有受到限制。但是，EUV技术进入中国最大的问题可能并非受限与否，而是有没有必要现在购买？由于EUV开发的技术难度极高，特别是EUV光源的功率不足，导致曝光时间过长，使得EUV一直很难得到实用，目前国际上EUV技术较为成熟的企业只有ASML一家，其销售的EUV价格极为高昂，一台售价超过1亿欧元。而目前EUV的主要应用范围是7nm以下工艺节点，尤其5nm工艺节点的晶圆制造。

除此之外，耗电量和曝光速度也是EUV技术的实践者需要征服的挑战。“光刻胶和光照膜是传统工艺中使用到的材料，现在已经不适应EUV技术的发展。此外，EUV技术还面临耗电量大等问题。EUV目前的曝光速度与人们的期望还有一定差距。

另外，EUV技术研发投入的资金量很大，技术昂贵，设备稀少。如果这些问题得不到改善，那么这项技术将无法得到实用。鉴于以上所述，EUV技术既是挑战，也是机遇。       

尽管EUV现在还存在各种障碍，但是其未来应用前景依然各方被看好。从长远角度来看，发展EUV技术是非常必要的。

最初开展的基础性关键技术研究主要分布在EUV光源、EUV多层膜、超光滑抛光技术等方面。2008年‘极大规模集成电路制造装备及成套工艺’国家科技重大专项将EUVL技术列为下一代光刻技术重点攻关。《中国制造2025》也将EUVL列为了集成电路制造领域的发展重点对象，并计划在2030年实现EUV光刻机的国产化。

目前来看，EUV这项技术对中国尚无实际意义，但是具有一定的战略意义。中国虽然技术落后，研发EUV技术困难颇多，但是仍要发展完整的工业体系，EUV是整套体系中最困难的一块。

放眼于未来，中国的技术最后还是会到达高水平层次，7nm技术也会得到应用，这一步势必要走，所以现在的准备工作是一定要做的，努力减小未来中国与世界的差距，所以即使如今技术不成熟、制作设备缺少、但是EUV技术还是要加大关注，为未来我国技术做铺垫。

虽然国家政策对于先进的EUV技术给予了研究支持，但是中国在光刻行业的技术、人才等积累还很薄弱。追逐国际领先者，中国必将付出更大的精力和更多的资金。

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